Opis
Dobava vključuje
MOSFET Infineon Technologies IRFU5305PBF 1 N-kanal 110 W I-PAK
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: IRFU5305PBF
EAN koda: 2050000043635
Registrirana blagovna znamka: Infineon Technologies
Ime proizvajalca: Infineon Technologies AG
Naslov proizvajalca: Am Campeon 1-15
Poštna številka proizvajalca: 85579
Kraj proizvajalca: Neubiberg
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +49892340
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.infineon.com/cms/de/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Tehnični podatki 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Tehnični podatki
| Vrsta |
IRFU5305PBF |
|---|---|
| Vrsta izdelka |
MOSFET |
| Ohišje |
I-PAK |
| Proizvajalec |
Infineon Technologies |
| Proizvajalec |
INF |
| Izvedba |
P-kanal |
| I(d) |
31 A |
| U |
55 V |
| Moč (maks.) P(TOT) |
110 W |
| R(DS)(on) |
65 mΩ |
| R(DS) nazivni tok |
16 A |
| R(DS) referenčna napetost |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
4 V |
| U(GS) (th) referenčni tok maks. |
250 µA |
| Q(G) |
63 nC |
| Q(G) referenčna napetost |
10 V |
| C(ISS) |
1200 pF |
| C(ISS) referenčna napetost |
25 V |
| Delovna temperatura min. |
-55 °C |
| Način montaže |
luknja za skoznik |
| Serija |
HEXFET® |
| Delovna temperatura (maks.) |
+175 °C |
| Značilnost tranzistorja |
standardni |
| U(DSS) |
55 V |
| Kanali |
1 |
| Vsebina |
1 kos |
- Povej naprej:
-
-
-
0 od 5